哈氏合金棒用合金法形成的合金結
在高溫下使摻雜金屬(又稱(chēng)為合金質(zhì)料)和半導體晶片熔成合金來(lái)建造PN結(或造成集成電路歐姆觸碰)的工藝。用合金工藝建造鍺PN結的典范工藝歷程,是將摻雜金屬(如In)置于外貌經(jīng)由嚴格潔凈處分的半導體晶片上(如N型Ge),在氫氣或真空中加熱至必然溫度,并保持必然光陰。
哈氏合金棒此時(shí),融化的金屬和半導體晶片相觸碰的那一片面質(zhì)料溶入融化了的金屬中,與金屬造成合金,溫度降落后在金屬中的半導體質(zhì)料便再結晶。再結晶的半導體質(zhì)料中含有富厚的摻雜金屬原子,從而轉變了半導體的導電類(lèi)型(P型),并與本來(lái)的N型晶片造成PN結(圖1)。
合金法造成的PN結是突變型的。在合金工藝中精確地掌握合金深度和獲得平整的PN結相對難題。